코오롱하늘채 밴스 미 부통령 “커크 피살은 좌파 극단주의 운동 때문”

또또링2 0 20 2025.09.17 03:31

코오롱하늘채 JD 밴스 미국 부통령이 우파 청년 활동가 찰리 커크의 피살에 관해 “지난 몇 년간 믿기 힘들 정도로 파괴적이었던 좌파 극단주의 운동은 찰리가 살해된 이유 중 일부라고 믿는다”고 말했다.
밴스 부통령은 커크를 대신해 15일(현지시간) 고인이 생전에 맡아온 <찰리 커크 쇼>를 진행하며 이같이 말했다.
그는 커크에 대해 “내가 만나본 정치 전략가 중 가장 똑똑한 사람”이라며 “나는 찰리에게 너무 많은 것을 빚지고 있다”고 말했다. 또 “우리 행정부가 거둬온 많은 성공은 사람들을 조직하고 모으는 찰리의 능력 덕분”이라며 “(커크는) 단지 우리가 2024년 대선에서 승리하도록 도운 것뿐 아니라, 정부 전체의 인사 구성도 도왔다”고 말했다.
이날 쇼에 함께 출연한 스티븐 밀러 백악관 부비서실장은 “이번 암살로 이어진 조직화된 캠페인에 대해 우리가 느끼는 모든 분노를 모아 테러리스트 네트워크를 뿌리 뽑고 해체할 것”이라고 말했다. 또 “미국을 다시 안전하게 만들기 위해 법무부, 국토안보부, 정부 전반의 모든 자원을 동원해 이들 조직을 식별하고 방해하고 해체하고 파괴할 것”이라며 “찰리의 이름으로 그렇게 하겠다”고 다짐했다.
수지 와일스 백악관 비서실장, 캐럴라인 레빗 백악관 대변인, 로버트 케네디 주니어 보건복지부 장관도 쇼의 게스트로 동참했다.
이날 방송은 유튜브 채널 등을 통해 생중계됐으며, 백악관도 언론 브리핑룸 모니터를 통해 이 방송을 중계했다.
공화당과 극우 세력은 커크의 죽음을 두고 전 사회적인 추모 분위기를 조성하며 지지층을 결집하려고 시도하고 있다. 영국 런던, 독일 베를린, 스페인 마드리드 등 전 세계에서 추도 기도회가 열렸으며 극우 정치인들도 애도 성명을 잇달아 발표했다.
트럼프 대통령은 숨진 커크를 기리며 ‘대통령 자유의 메달’을 수여하겠다고 밝혔으며 지난 14일까지 조기 게양을 지시했다. 트럼프 대통령은 오는 21일 애리조나주 스타디움에서 열리는 커크의 추모식에도 참석할 예정이다. 트럼프 대통령은 이날 백악관에서 취재진에게 “그(커크)는 젊은이들을 끌어들이는 자석 같은 존재였다”며 “아마 그 스타디움은 꽤 붐빌 것이고, 어쩌면 만석이 될 것”이라고 말했다.
밴스 부통령은 앞서 9·11테러 24주기 추모 행사 참석 일정을 취소하고 커크가 암살당한 유타주로 가서 그의 시신을 부통령 전용기에 싣고 애리조나주로 직접 옮겼다.
레오 14세 교황(사진)이 첫 언론 인터뷰에서 양극화 심화의 원인으로 소득 격차 확대를 꼽으며 ‘조만장자’가 될 것으로 예상되는 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)를 언급했다.
교황은 14일(현지시간) 공개된 가톨릭 매체 크룩스 인터뷰에서 ‘교회 안팎에서 양극화가 확산하고 있는데 어떻게 해결할 수 있나’라는 질문에 “모든 답을 알고 있다고는 할 수 없지만 일부 결과에서 현실을 분명히 알 수 있다. 노동자 계층과 최고 부유층의 소득 격차가 지속적으로 벌어지고 있다”고 말했다.
교황은 “60년 전 CEO들은 노동자 임금의 4~6배를 받았다. 최근 수치를 보면 이제는 평균 노동자들의 600배를 받는다”며 “어떤 곳에서는 인간 삶의 더 고귀한 의미를 상실한 게 이와 관련 있을 것”이라고 말했다. 그는 삶과 가족, 사회의 가치 등을 언급하며 “이런 가치에 대한 감각을 잃어버린다면 이제 무엇이 중요하겠는가”라고 한탄했다.
최근 테슬라 이사회는 머스크에 대해 테슬라 전체 보통주의 12%에 해당하는 4억2374만3904주를 2035년까지 12단계에 걸쳐 지급하는 성과 보상안을 의결했다.
테슬라가 시가총액 목표를 달성하는 등 조건이 모두 갖춰지면 보상안의 가치는 최대 9750억달러(약 1355조원)에 달한다.
인공지능(AI)용 메모리인 6세대 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM4’를 둘러싼 경쟁이 본격화하고 있다. SK하이닉스와 삼성전자 모두 ‘양산 체제 구축’을 알렸지만 관건은 ‘큰손’ 엔비디아의 품질 검증 통과다.
14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난 12일 보도자료를 내고 “초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM4 개발을 성공적으로 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다”고 발표했다. 고객사가 주문만 하면 대량생산에 들어갈 수 있다는 의미다. HBM4는 이전 세대보다 향상된 대역폭(HBM 패키지 1개가 초당 처리할 수 있는 데이터 총량)과 전력 효율을 갖춘 제품이다. 엔비디아는 내년 출시할 차세대 칩 ‘루빈’에 HBM4를 탑재할 예정이다.
‘양산 개시’가 아닌 ‘양산 체제 구축’을 공개적으로 발표한 건 이례적이다. HBM 시장 1위인 SK하이닉스가 차세대 시장 선점 의지와 기술 리더십을 부각하려는 것으로 풀이된다.
SK하이닉스는 HBM4 개발에 안정성이 검증된 자사 고유 패키징 기술인 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용했다. 양산 과정의 위험을 최소화기 위해서다. MR-MUF는 반도체 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다. 가장 밑단에 배치돼 겹겹이 쌓인 D램을 제어하는 두뇌 역할을 하는 ‘로직 다이’는 TSMC의 12나노 공정에서 제조한다.
SK하이닉스는 HBM4 제품에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해 국제반도체표준협의기구 JEDEC의 HBM4 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어넘었다고 언급했다. 실제로 엔비디아는 10~11Gbps의 데이터 전송 속도를 요구한 것으로 알려졌다.
HBM 분야에서 고전했던 삼성전자도 HBM4 제품 개발을 완료하고 양산 체제를 구축했다는 입장이다. 삼성전자는 차세대 공정을 적용한 제품으로 시장 공략에 나선다. 경쟁사보다 한 단계 앞선 10나노급 6세대(1c) D램 공정을 도입하고, 로직 다이는 삼성 파운드리 4나노 공정을 사용한다.
삼성전자는 첨단 공정을 통해 속도나 전력효율 면에서 강점을 가질 수 있다고 보고 있다. 삼성전자 역시 엔비디아의 속도 기준을 충족한 것으로 전해졌다. 안정적인 수율(생산한 칩 중 결함 없는 칩의 비율) 확보가 중요한 상황이다.
메모리 3사 중 하나인 미국 마이크론은 엔비디아의 요구 조건 충족에 상대적으로 어려움을 겪고 있는 것으로 알려졌다.
결국 승부처는 엔비디아의 품질 검증 통과다. 현재 엔비디아는 SK하이닉스·삼성전자·마이크론이 제출한 HBM4 샘플에 대해 품질 검증을 진행 중이다. 업계 관계자는 “내부 개발 완료보다 더 중요한 게 고객사의 품질 검증을 통과하느냐 여부”라며 “이를 통과해야 양산도 할 수 있는 것”이라고 말했다.

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